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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
2
8.0 V
7.0 V
2
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 ° C
10
10
1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ° C
1
25 ° C
-55 ° C
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.10
2
0.08
V GS = 10V
10
0.06
1
0.04
V GS = 20V
* Note : T J = 25 ° C
150 ° C
25 ° C
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
9000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 50V
V DS = 125V
6000
C oss
8
V DS = 200V
C iss
6
3000
* Note ;
4
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 69A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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